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自適應寫入技術 關鍵字列表
美光推出2600 QLC固態(tài)硬盤，實現TLC級寫入性能

美光推出2600 QLC固態(tài)硬盤，實現TLC級寫入性能

美光發(fā)布新款2600客戶端QLC固態(tài)硬盤，采用自適應寫入技術動態(tài)優(yōu)化緩存，使QLC閃存達到TLC級寫入性能。該技術通過頂層SLC緩存處理新寫入數據，二級TLC緩存應對SLC滿載情況，空閑時將數據遷移至QLC模式。硬盤無DRAM設計，采用Phison四通道控制器和美光276層3D NAND，提供512GB至2TB容量選擇，相比競品QLC和TLC固態(tài)硬盤，順序寫入速度提升63%，隨機寫入速度提升49%。