美光發(fā)布新款2600客戶端QLC固態(tài)硬盤,采用自適應(yīng)寫入技術(shù)動態(tài)優(yōu)化緩存,使QLC閃存達到TLC級寫入性能。該技術(shù)通過頂層SLC緩存處理新寫入數(shù)據(jù),二級TLC緩存應(yīng)對SLC滿載情況,空閑時將數(shù)據(jù)遷移至QLC模式。硬盤無DRAM設(shè)計,采用Phison四通道控制器和美光276層3D NAND,提供512GB至2TB容量選擇,相比競品QLC和TLC固態(tài)硬盤,順序?qū)懭胨俣忍嵘?3%,隨機寫入速度提升49%。
Pure Storage今天宣布推出基于QLC閃存(是一種尚未在數(shù)據(jù)中心廣泛部署的固態(tài)內(nèi)存)的FlashArray//C存儲系統(tǒng)升級版。
今年晚些時候,美光計劃推出QLC閃存驅(qū)動器,這些閃存驅(qū)動器正在蠶食近線磁盤驅(qū)動器市場。