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高帶寬內(nèi)存 關鍵字列表
四代HBM高帶寬內(nèi)存技術路線圖發(fā)布

四代HBM高帶寬內(nèi)存技術路線圖發(fā)布

韓國科學技術院研究團隊公布了HBM4至HBM8四代高帶寬內(nèi)存技術發(fā)展路線圖。HBM5將于2029年采用浸沒式冷卻技術，HBM7和HBM8將集成嵌入式冷卻。從HBM6開始將使用銅對銅直接鍵合技術。HBM8帶寬可達64TBps，堆棧容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英偉達Feynman加速器計劃采用HBM5技術。

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領先的 HBM3E 解決方案，加速人工智能發(fā)展

美光 HBM3E 比競品功耗低 30%，助力數(shù)據(jù)中心降低運營成本

下一代英特爾Sapphire Rapids再現(xiàn)身，高帶寬內(nèi)存加持所向披靡

內(nèi)置高帶寬內(nèi)存（HBM）的Sapphire Rapids至強可擴展處理器進一步打造性能標桿；英特爾GPU、網(wǎng)絡和存儲能力豐富高性能計算產(chǎn)品組合