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芯片堆疊 關(guān)鍵字列表
四代HBM高帶寬內(nèi)存技術(shù)路線圖發(fā)布

四代HBM高帶寬內(nèi)存技術(shù)路線圖發(fā)布

韓國科學(xué)技術(shù)院研究團(tuán)隊(duì)公布了HBM4至HBM8四代高帶寬內(nèi)存技術(shù)發(fā)展路線圖。HBM5將于2029年采用浸沒式冷卻技術(shù)，HBM7和HBM8將集成嵌入式冷卻。從HBM6開始將使用銅對(duì)銅直接鍵合技術(shù)。HBM8帶寬可達(dá)64TBps，堆棧容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英偉達(dá)Feynman加速器計(jì)劃采用HBM5技術(shù)。